CD-R及CD-RW的刻录原理
在刻录CD-R盘片时，通过大功率激光照射CD-R盘片的染料层，在染料层上形成一个个平面（Land）和凹坑（Pit），光驱在读取这些平面和凹坑的时候就能够将其转换为0和1。由于这种变化是一次性的，不能恢复到原来的状态，所以CD-R盘片只能写入一次，不能重复写入。
而CD-RW的刻录原理与CD-R大致相同，只不过盘片上镀的是一层200～500埃（1埃＝10-8cm）厚的薄膜，这种薄膜的材质多为银、铟、硒或碲的结晶层，这种结晶层能够呈现出结晶和非结晶两种状态，等同于CD-R的平面和凹坑。通过激光束的照射，可以在这两种状态之间相互转换，所以CD-RW盘片可以重复写入。
刻录机的接口规格
早期的刻录机有很多都是SCSI接口，SCSI接口的刻录机占用系统资源很少，刻录时相对稳定，不过必须安装SCSI卡，过程比较繁琐，价格也居高不下。最近几年刻录机广泛发展之后，虽然SCSI接口的刻录机仍然在市场上占有一席之地，但安装简单、价格低廉的IDE接口刻录机逐渐占领了大部分市场成为主流。目前刻录机与主机相连的接口主要有IDE、SCSI、USB和IEEE1394等等，采用USB 1.1接口的外置式产品由于受到接口传输速率的限制，大多只能达到4×或6×，不过凭借其支持热拔插、携带安装方便的优点，逐渐成为移动办公一族的最爱。IEEE1394接口的刻录机产品目前还很少见，价格也比较昂贵，不过从长远角度来看，外置式刻录机必将逐渐过渡到IEEE1394接口和USB 2.0接口。
刻录机的速度
刻录机和普通光驱一样也有倍速之分，只不过刻录机有三个速度指标：刻录速度、复写速度和读取速度。比如说某刻录机标称速度为32×12×40，说明此刻录机刻录CD-R盘片的最高速度为32×，复写和擦写CD-RW盘片的最高速度为12×，读取普通CD-ROM盘片（包括CD-R和CD-RW）的最高速度为40×。
除了刻录机，CD-R和CD-RW盘片也都有标称的刻录速度，对于仅支持低速刻录的盘片，如果强行采用高速刻录方式，有可能会造成记录层烧录不完全，导致数据读取失败甚至盘片报废，所以选择支持相应刻录速度的盘片是非常重要的。另外，所谓的“32×”也就是32倍速，1倍速为150KB/s，32倍速就是4800KB/s。
刻录机的缓存
为保证刻录质量，高速刻录时除了对盘片的要求比较高以外，缓存大小也十分重要。在刻录开始前，刻录机需要先将一部分数据载入到缓存中，刻录过程中不断从缓存中读取数据刻录到盘片上，同时缓存中的数据也在不断补充。一旦数据传送到缓存里的速度低于刻录机的刻录速度，缓存中的数据就会减少，缓存完全清空之后，就会发生缓存欠载问题（Buffer Under Run），导致盘片报废。
所以在没有防刻死技术的刻录机上，缓存大小直接影响到刻录的成功率。缓存越大，发生缓存欠载问题的可能性就越低。当初市场上一度出现了部分具有8MB缓存的刻录机产品，当然价格也比只有2MB缓存的产品贵一些。
支持Zone-CLV的刻录机的数据传输率曲线
CAV、CLV、P-CAV和Z-CLV
CLV（恒定线速度）是早期光驱使用的读盘方式，多用于8倍速以前的光驱，特点是读取盘片内圈和外圈时的数据流量相同，想要达到这个要求，主轴电机就必须不断地改变转速，读内圈数据时转速高，读外圈数据时转速低。随着光驱的速度不断提高，电机频繁地改变转速势必会大幅度缩短寿命，于是CAV（恒定角速度）就出台了。CAV方式下主轴电机的转速恒定不变，读取内圈数据时数据流量较低，读取外圈数据时数据流量较高。P-CAV（局部恒定角速度）则是将以上两种方式的优点结合起来，在读取内圈数据的时候采用CLV方式，读取外圈数据的时候采用CAV方式。
Zone-CLV（区域恒定线速度）是出现在高速刻录机上的一种技术，有时也简写成Z-CLV，采用Zone-CLV技术的刻录机在刻录时，提速过程并不像光驱读盘时采用的CLV、CAV或P-CLV方式——在读盘过程中连续提升转速，而是将一张刻录盘由内到外分成数个区域，刻录时以区域为单位逐步提升速度，同一个区域内的刻录速度是恒定的，这样可以在刻录机保证稳定的前提下再将速度提升到更高的阶段，避免了马达转速过高带来的不稳定因素。
通过一台32×刻录机的数据传输率曲线图可以看出，刻录速度从16×开始上升，经历了20×、24×、28×之后，最终达到32×标称速度。而代表马达转速的曲线则始终保持在较低的位置，而且变化量很小，保证了刻录时的稳定性。