电容式压力变送器通过检测中心测量膜片与两侧测量室壁之间的电容变化来判别膜片受压位移状况。
扩散硅压力变送器有两类，其中一类是将扩散硅电桥植入到检测中心测量膜片上来判别膜片受压位移状况。
以上两种由于是直接测量中心测量膜片（被测压力直接作用处）的位移。且测量膜片可以加上巨大的预应张力，使得金属膜片位移所导致的应力影响极小。所以精度较高。
另一种扩散硅压力变送器是将测量膜片感受的力传导到一个扩散硅传感器，通过扩散硅传感器的输出来得出被测压力。由于压力不是作用在传感器上而是加了一次传递，所以相对精度低一些，且扩散硅元件品质不一（多数变送器厂家不是自己生产扩散硅元件）导致质量差别很大。但是，但是价格可以很低。

现在电容式压力变送器与扩散硅压力变送器在基本线性精度上面已经基本可以达到同一个级别了，电容式最高精度可以达到0.075%级，而硅压力变送器可以达到0.05%级。
但是由于电容式变送器静压影响量很大，所以一般不适合用于静压大的场合。而硅变送器却没有这方面的问题。
但是在核电厂环境中，由于硅变送器的敏感元件的特殊性，其会发生损坏，所以一般核电厂多用电容式压力变送器。
另外问一下，你是特指压力变送器，还是泛指压力变送器与差压变送器。如果特指压力变送器的话，还有一个问题不容忽视，一般硅压力变送器由于大气端一般直接与敏感元件的参比腔连接，在大气具有腐蚀性时，这种硅压力变送器并不适合使用，如需要使用需要经过特殊设计，目前有部分厂家有类似的特殊变送器。而电容式由于两边都会充灌液和隔离膜片所以一般不受此问题影响。

电容式压力变送器与扩散硅压力变送器,没有区别，仔细看书

电容式压力变送器，它的输出信号比扩散硅压力变送器稳定，精度，线性度，漂移都比扩散硅压力变送器要高一个等级，但是扩散硅压力变送器便宜，正常使用的话就可以了。

最简单的区别，，精度不一样，价格不一样.....qq284204498

电容式变送器有一个可变电容的传感组件，称为“δ"室。该传感器是一个完全封闭的组件。过程压力、差压通过隔离膜片和灌充液硅油传到传感膜片引起位移，传感膜片和两电容极板之间的电容差由电子部件转换成(4～20)mA的两线制输出的电信号。电子放大电路由解调器、振荡器、振荡控制放大器、电流检测器、电流控制放大器、电流限制控制器、基准电压、稳压器等组成。通过它们对电容信号进行检测，从而控制振荡频率，再将其转换为电流输出。
电容变送器优点：1.可做到极低压力 2.抗过载能力强 3.精度高
缺点：1.高压测量缺乏优势 2.传感器封装工艺要求高
扩散硅压力变送器通过温度传感器把温度信号变为电信号，再由前置放大器把此电信号放大滤波，送往CPU的A/D 转换模块进行模拟量到数字量的变换。最后由CPU进行数据处理并显示及PWM输出。原理框图如下：
　　被侧介质---〉传感器---〉电子线路---〉输出信号
被测介质的压力直接作用于传感器的陶瓷/扩散硅膜片/上，使膜片产生与介质压力成正比的微小位移，正常工作状态下，膜片最大位移不大于0.025毫米，电子线路检测这一位移量后，即把这一位移量转换成对应于这一压力的标准工业测量信号。超压时膜片直接贴到坚固的陶瓷基体/扩散硅上，由于膜片与基体的间隙只有0.1毫米，因此过压时膜片的最大位移只能是0.1毫米，所以从结构上保证了膜片不会产生过大变形，该传感器具有很好的稳定性和高可靠性。
扩散硅压力变送器的主要特点
1、稳定性高-每年优于0.1%满量程。
2、温度偏移小-由于取消了测量元件中的中介液，因而传感器不仅获得了很高的测量精度.
3、可靠性好-采用大规模IC，电路可靠性好，抗干扰性能强。
4、适用性广-产品具有多种型号，多种过程连接形式，可适应工业测量中的各种介质。
5、安装维护简便产品结构合理，体积小,重量轻，可直接任意位置安装。
缺点是：1. 低于0℃后，温度稳定性大幅度降低 2.不能承受动态压力 3.膜片较易损伤