看了你的电路图后，认为你所说现象是正确的
先看左图，管子为PNP的反相器
“发现 PNP三极管只要基极电压低于发射极时，管子就会导通”
三极管PNP可能为锗管，其开启门限电压表很低，0.1-0.2V就会进入放大区
，另外测量电压的电压表灵敏度低也会影响实验过程∴表现为只要基极电压低于发射极时，管子就会导通，基极大于等于发射极电压时管子截止。
右图：NPN硅管多，
因为负载电阻接在发射极上，，所以就抬高了基极电位，管子截止与导通取决Vbe，当其处于饱和状态时应该Vb>Vc>Ve，所以“三极管是基极得等于集电极电压，管子才完全导通”是正常的
基极小于集电极电压时，管子起到放大作用，比如基极为 5V时，发射极电流4.298mA而不是 11-12mA，
这是典型的处于放大区，Vb=5V，Ic=4.298mA，若使Ic增加，可继续提高Vb
当Ic=11-12mA时，再增大Vb才进入饱和区，不过电路接法限制，不会进入深度饱和区，因为Vb最高等于Vc，即集电结最多是零偏，不会正偏。
不是NPN非要基极等于集电极电压才能作开关管，这里是电路图接法造成
若将1k电阻接到集电极上就不会这样了。

呵呵，三极管工作原理是这样的
三极管有两种应用，一种就是它的放大状态;另一种就是开关状态.
NPN管 PNP管
放大状态的条件：Uc>Ub>Ue Ue> Ub>Uc Uc:集电极电压，Ub:基极电压, Ue:发射极电压
饱和状态 Ub>Uc Ub<Uc
（相当于开关关闭状态）
截止状态 Ub<Ue Ub>Ue
（相当于开关打开状态）
这里需要补充一下，制成三极管可以用两种材料硅和锗来制作，不区分型号；如果用硅材料制作，三级管导通电压就是0.7v，锗的话是0.3v；这是一个分界点，Ube低于这个值管子处于截止状态，大于等于它则开始导通

你的提问第二部分应为NPN。
用PNP三极管和 NPN三极管作开关管，基极控制 ，发现 PNP三极管只要基极电压低于发射极时，管子就会导通，基极大于等于发射极电压时管子截止。如果Vbe=0.5v，那么Vbc=11.5V，早已近进入饱和区了。NPN管和PNP的射极位置想法，换个角度看问题就可以了。