GMR（Giant Magneto Resistive，巨磁阻效应）。是指磁性材料的电阻率在有外磁场作用时较之无外磁场作用时存在巨大变化的现象。
巨磁阻是一种量子力学效应，它产生于层状的磁性薄膜结构。这种结构是由铁磁材料和非铁磁材料薄层交替叠合而成。当铁磁层的磁矩相互平行时，载流子与自旋有关的散射最小，材料有最小的电阻。当铁磁层的磁矩为反平行时，与自旋有关的散射最强，材料的电阻最大。上下两层为铁磁材料，中间夹层是非铁磁材料。铁磁材料磁矩的方向是由加到材料的外磁场控制的，因而较小的磁场也可以得到较大电阻变化的材料。

巨磁电阻传感器采用惠斯通电桥和 磁屏蔽技术，传感器基片上镀了一层很厚的磁性材料，这层材料对其下方的巨磁电阻形成屏蔽，不让任何外加磁场进入屏蔽的电阻器。惠斯登电桥有由只相同的巨磁电阻组成，其中R1和R3在磁性材料上方，受外加磁场影响是电阻减少，而R2和R4在磁性材料下方，被屏蔽阻值不变。