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    氮化铝陶瓷 (AlN) 具有高导热性、高耐磨性和耐腐蚀性，是半导体和医疗行业比较理想的材料。典型应用包括：加热器、静电卡盘、基座、夹环、盖板和 MRI 设备。

   氮化铝陶瓷在半导体和医疗上可表现以下特性：1高导热性与金属铝一样高，比氧化铝 (Al2O3) 高 7 倍；2与硅 (Si) 的热膨胀系数相似；3高电绝缘性；4在氟基气体气氛下对等离子具有高度耐受性；4高密度和细粒结构；5适用于不同用途的多种材料（高导热型/高纯度型）；6适用于半导体制造设备的尺寸。 找可加工高难度氮化铝陶瓷零件厂家--鑫鼎陶瓷。深圳硬度高隔热氮化铝陶瓷环

        氮化铝陶瓷结构件的用途：（1）在冶金工业上制作坩埚，马弗炉炉、燃烧嘴、加热夹具、铸模、铝导管、热电偶保护套管、铝电解槽衬里等热工设备上的零件。（2）在机械制作工业制作高速车刀、轴承、金属零件热处理支撑件、转子发动机刮刀、燃气轮机导向叶片、涡轮叶片等。（3）在化学工业上用作球阀、泵体、密封环、过滤器、换热器部件、固定触媒载体、燃烧船、蒸发皿等。（4）在半导体、航空、原子能等工业中，用于制造开关电路基板、薄膜电容器、电绝缘体、雷达电线罩、导弹尾喷管、原子反应堆中的支撑件和隔离件、核裂变载体。（5）在医药工业中可做人工关节。深圳医用行业氮化铝陶瓷杆找专业加工氮化铝陶瓷零件。

       氮化铝陶瓷AIN晶体以〔AIN4〕四面体为结构单元共价键化合物，具有纤锌矿型结构，属六方晶系。化学组成 AI 65.81%，N 34.19%，比重3.261g/cm3，白色或灰白色，单晶无色透明，常压下的升华分解温度为2450℃。为一种高温耐热材料。热膨胀系数（4.0-6.0）X10-6/℃。多晶AIN热导率达260W/(m.k)，比氧化铝高5-8倍，所以耐热冲击好，能耐2200℃的极热。此外，氮化铝具有不受铝液和其它熔融金属及砷化镓侵蚀的特性，特别是对熔融铝液具有极好的耐侵蚀性。

      氮化铝(AlN)陶瓷是一种综合性能优良的新型陶瓷材料,具有优良的热传导性,可靠的申绝缘性,低的介电常数和介电损耗.无毒以及与硅相匹配的热膨胀系教等一系列优良特性.被认为是新-代高集程度半导体基片和电子器件封装的理想材料，受到了国内外研究者的高度重视.理论上,氮化铝的热导率为320W/(m)工业上实际制备的多晶氮化铝的热导率也可达100~250 W/(m).该数值是传统基片材料氧化铝热导离的5倍~10倍,接近于氧化铍的热导率,但由于氧化铍有剧毒,在工业生产中逐渐被停止使用.与其它几种陶瓷材料相比较,氮化铝陶瓷综合性能优良,非常适用于半导体基片和结构封装材料,在电子工业中的应用潜力非常巨大.另外,氮化铝陶瓷可用作熔炼有色金属和半导体材料砷化镓的坩埚、蒸发舟、热电偶的保护管、高温绝缘件,同时可作为耐高温耐腐蚀结构陶瓷、透明氮化铝陶瓷制品,因而成为一种具有很大应用前景的无机材料.鑫鼎陶瓷厂家提供定制氮化铝陶瓷基片。

     氮化铝陶瓷多零件可以用作微波管的集电极、夹极和能量传输窗口，氮化铝的介电损耗可低至10^(–4)，当窗口热量过高时，可以有效保证电子器件的安全性。

   氮化铝陶瓷可用作薄膜材料。氮化铝薄膜材料在高温下有良好的热稳定性和压电性，能在接近1200℃的高温环境下工作，是一种性能良好的压电材料。氮化铝薄膜可应用在微模块、传感器、集成电路和有源元件、MEMS中。

    与其它几种陶瓷材料相比，氮化铝陶瓷具备优良的热、电、力学性能，随着现代科学技术的飞速发展，氮化铝陶瓷也必将在许多领域得到更为广的应用。 氮化铝陶瓷套定制加工。深圳医用行业氮化铝陶瓷杆

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     压烧结是氮化铝陶瓷传统的制备工艺。氮化铝陶瓷在经过常压烧结的过程中，坯体不受外加压力作用，可在一般气压下经加热由粉末颗粒的聚集体转变为晶粒结合体，在烧结工艺方面常压烧结是简单的一种方法，也是常用的一种烧结方法。常压烧结氮化铝陶瓷一般温度范围为1600℃一2000℃，适当升高烧结温度和延长保温时间，可以提高氮化铝陶瓷的致密度。由于氮化铝为共价键结构，纯氮化铝粉末难以进行固相烧结，所以经常在原料中会加入烧结助剂来促进氮化铝陶瓷烧结致密化。在一般的情况下，常压烧结制备氮化铝陶瓷需要烧结温度高，保温的时间也相对比较长，但其设备与工艺流程简单，操作方便。深圳硬度高隔热氮化铝陶瓷环