R24是微波高频三极管,
类别：NPN-硅通用高频低噪声宽带NPN晶体管
　　集电极-发射极电压VCEO：12V
　　集电极-基极电压VCBO:20V
　　发射极-基极电压VEBO:3.0V
　　集电极直流电流IC:100mA
　　总耗散功率(TA=25℃)Ptot:200mW
　　工作结温Tj:150℃
　　贮存温度Tstg:-65~150℃
　　封装形式：SOT-23,或者SOT-323,或者SC-59
　　功率特性：中功率
　　极性：NPN型
　　结构：扩散型
　　材料：硅(Si)
　　封装材料：塑料封装
　　电性能参数（TA=25℃）：
　　击穿电压:V(BR)CEO=12V,V(BR)CBO=20V,V(BR)EBO=3.0V
　　直流放大系数hFE:40～250 @VCE=3V,IC=7mA
　　集电极-基极截止电流ICBO:100nA(最大值)
　　发射极-基极截止电流IEBO:100nA(最大值)
　　特征频率fT:5.0GHz@ VCE=3V,IC=7mA
　　集电极允许电流IC：0.1（A）
　　集电极最大允许耗散功率PT：0.2（W）
　　插入功率增益∣S21∣：9dB@IC=7mA,VCE=3V,f=1GHz
　　噪声系数NF：1.2dB@IC=7mA,VCE=3V,f=1GHz 　　反馈电容Cre：0.65 pF @ IC=ic=0,VCB=10V,f=1MHz。