既然已经有超低导通电阻的功率MOS管,比如IRF1404 ,12v时只有三点几mΩ。。。10A电流下耗散功率不到0.4W
还有更强的管例如 IPB009N03L 4.5V低压时导通内阻也只有一点几毫欧。12v就小于1毫欧了,这样的mos管应对十几安陪的电流根本是小菜一碟,连散热都不用。
而且我自己也试过用光耦控制mos管,用起来就像完美的固态继电器,但这毕竟是分立元件,在某些空间狭小的设计里很不方便。
令我更纠结的是,市面上所能找到的所谓光耦继电器,大多1A电流都无法承受,而且导通电阻居然是欧姆级的。
更令我纠结的是,市面上能找到的**能承受大功率的“固态继电器”不仅体积巨大,而且居然几乎都是可控硅控制的,可控硅那接近1V的压降非常的然人哭笑不得。
于是,我的疑问诞生了。为什么就没有人生产mosfet功率固态继电器呢?
为什么把一只超低内阻mos管和一颗光耦封装在一起呢么难呢?
用分立元件组合的成本不过几元。
为什么就没有人生产一体封装。
国外有没有我不知道。
反正这边是听都没听过。
请不要草草回答,我是认真的。请帮我分析一下,为什么目前没有这种东西。。。