NMOS例当栅极加高电平P型衬底形成N沟道：由于栅极电平比栅下p衬底电平（衬底与S起接地）高由于电场作用吸引了少数载流子--电子与两有源区形成N沟道时加大了Vds相当提高了D端（漏端）电平使得栅下衬底靠近D端端电平也提高相应电场开始减弱也说栅下靠近D端电场比靠近S端电场要弱若Vds继续增加使得D端电平与栅极G电平相等则栅下靠近D端电场相应减0能吸引电子形成N沟道夹断开始从漏端形成并随着漏端电平上升而开始往源端S扩散形成沟道夹断时电流出现饱和载流子（电子）只能夹断区紧贴着栅下薄层向漏端运动其运动受限制电流饱和微观机理