非制冷微光显微镜用户体验 服务为先 苏州致晟光电科技供应

半导体材料分为直接带隙半导体和间接带隙半导体，而Si是典型的直接带隙半导体，其禁带宽度为1.12eV。所以当电子与空穴复合时，电子会弹射出一个光子，该光子的能量为1.12eV，根据波粒二象性原理，该光子的波长为1100nm，属于红外光区。通俗的讲就是当载流子进行复合的时候就会产生1100nm的红外光。这也就是产生亮点的原因之一：载流子复合。所以正偏二极管的PN结处能看到亮点。如果MOS管产生latch-up现象，（体寄生三极管导通）也会观察到在衬底处产生荧光亮点。通过调节探测灵敏度，它能适配不同漏电流大小的检测需求，灵活应对多样的检测场景。非制冷微光显微镜用户体验

在微光显微镜（EMMI) 操作过程中，当对样品施加合适的电压时，其失效点会由于载流子加速散射或电子-空穴对复合效应而发射特定波长的光子。这些光子经过采集和图像处理后，可以形成一张信号图。随后，取消施加在样品上的电压，在未供电的状态下采集一张背景图。再通过将信号图与背景图进行叠加处理，就可以精确地定位发光点的位置，实现对失效点的精确定位。进一步地，为了提升定位的准确性，可采用多种图像处理技术进行优化。例如，通过滤波算法去除背景噪声，增强信号图的信噪比；利用边缘检测技术，突出显示发光点的边缘特征，从而提高定位精度。IC微光显微镜方案热电子与晶格相互作用及闩锁效应发生时也会产生光子，在显微镜下呈现亮点。

同时，微光显微镜（EMMI）带来的高效失效分析能力，能大幅缩短研发周期。在新产品研发阶段，快速发现并解决失效问题，可避免研发过程中的反复试错，加快产品从实验室走向市场的速度。当市场需求瞬息万变时，更快的研发响应速度意味着企业能抢先推出符合市场需求的产品，抢占市场先机。例如，在当下市场 5G 芯片、AI 芯片等领域，技术迭代速度极快，谁能更早解决研发中的失效难题，谁就能在技术竞争中争先一步，建立起差异化的竞争优势。

选择国产 EMMI 微光显微镜，既是拥抱技术自主，更是抢占效率与成本的双重优势！致晟光电全本土化研发实力，与南京理工大学光电技术学院深度携手，致力于光电技术研究和产业化应用，充分发挥其科研优势，构建起产学研深度融合的技术研发体系。

凭借这一坚实后盾，我们的 EMMI 微光显微镜在性能上实现更佳突破：-80℃制冷型探测器搭配高分辨率物镜，轻松捕捉极微弱漏电流光子信号，漏电缺陷定位精度与国际设备同步，让每一个细微失效点无所遁形。 针对纳米级半导体器件，搭配超高倍物镜，能分辨纳米尺度的缺陷发光，推动纳米电子学研究。

OBIRCH与EMMI技术在集成电路失效分析领域中扮演着互补的角色，其主要差异体现在检测原理及应用领域。具体而言，EMMI技术通过光子检测手段来精确定位漏电或发光故障点，而OBIRCH技术则依赖于激光诱导电阻变化来识别短路或阻值异常区域。这两种技术通常被整合于同一检测系统（即PEM系统）中，其中EMMI技术在探测光子发射类缺陷，如漏电流方面表现出色，而OBIRCH技术则对金属层遮蔽下的短路现象具有更高的敏感度。例如，EMMI技术能够有效检测未开封芯片中的失效点，而OBIRCH技术则能有效解决低阻抗（<10 ohm）短路问题。微光显微镜的便携款桌面级设计，方便在生产线现场快速检测，及时发现产品问题，减少不合格品流出。IC微光显微镜方案

其低噪声电缆连接设计，减少信号传输过程中的损耗，确保微弱光子信号完整传递至探测器。非制冷微光显微镜用户体验

RTTLIT E20 微光显微分析系统（EMMI）是专为半导体器件漏电缺陷检测量身打造的高精度检测设备，其系统搭载 -80℃制冷型 InGaAs 探测器与高分辨率显微物镜 ，构建起超高灵敏度检测体系 —— 可准确捕捉器件在微弱漏电流下产生的极微弱微光信号，实现纳米级缺陷的可视化成像。通过超高灵敏度成像技术，设备能快速定位漏电缺陷并完成深度分析，为工程师提供直观的缺陷数据支撑，助力优化生产工艺、提升产品可靠性。从芯片研发到量产质控，RTTLIT E20 以稳定可靠的性能，为半导体器件全生命周期的质量保障提供科学解决方案，是半导体行业提升良率的关键检测利器。非制冷微光显微镜用户体验

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